Crystal Oscillators
Clock Oscillators Simple Packaged Crystal Oscillators |
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Product Name |
SPXO-RTSP |
1、Frequency Rang |
1-200MHz |
2、Standard Freq |
2.5MHz,3.2MHz,4.608MHz,4.096MHz,5MHz,5.12MHz,6.4MHz, |
6.5MHz,6.72996MHz,8.192MHz,9.216MHz,10MHz,10.24MHz,12MHz,12.24MHz,12.288
MHz,12.8MHz,13MHz,14.4MHz,14.7456MHz,14.85MHz,16MHz,16.32MHz,16.368MHz ,
16.384MHz,16.8MHz,17MHz,18.432MHz,19.2MHz,19.44MHz,19.68MHz,19.7985MHz,
19.8MHz,20MHz,20.46MHz,20.48MHz,20.82857MHz,24MHz,24.576MHz,25MHz,25.6MHz,
26MHz,26.451788MHz,27MHz,29.952MHz,32MHz,32.768MHz,33MHz,36.864MHz,38MHz,
38.88MHz,40MHz,50MHz,61.44MHz,77.76MHz,100MHz,120MHz,122.88MHz,140MHz |
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3、Package Outline |
1 SMD21*13*5 2 SMD14*9*6 3 SMD11*9*3 4 SMD9*7*3 |
5 SMD7*5*2 6 SMD5*3.2*1 7 SMD3*2.5*1 8 SMD2.5*2*1 9 DIP21*13*5 10 DIP18*12*5
11 DIP20*20*10 12 DIP36*27*16 13 DIP13*13*6 14 DIP18*11*9 15 DIP21*13* |
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4、Freq Adjustment |
1 Voltage trim 2 Mechanical trim 3 No adjustment |
5、Freq Tolerance |
A±5ppm B±10ppm C±20ppm D±30ppm E±50ppm F±100ppm @ |
6、Operating Temp |
A 0-+ |
7、Freq Stability |
A±5ppm B±10ppm C±15ppm D±20ppm E±25ppm
F±30ppm G±50ppm H ±100ppm 1ppb=1/1000ppm 1ppm=1/1000000 |
8、Output Waveform |
1 Sine 2 Hcmos 3 Clipped Sine 4 TTL 5 ACMOS 6 LV-PECL 7 VDS |
9、Supply Voltage |
A 1.8V B 2.6V C 2.8V D3.0V E 3.3V F 5.0V |
10、Current |
10 mA-70mA |
11、Load Condition |
1 15pf 2 20pf 3 30pf 4 40pf 5 50pf 6 10TTL |
12、Duty Cycle |
1 45/55% 2 40/60% |
13、Rise & Fall Time |
1 15ns 15ns 2 10ns 10ns 3 8ns 8ns 4 6ns 6ns |
14、Ageing |
±5ppm maximum per year, |
15、Storage Temp |
A -40-+ |
16、Part Number |
RTSP-10MHZ 53DGF2E |
SPXO,10MHZ,SMD7*5*
Stability±30ppm,HCMOS, 3.3V, 15pf, 40/60%, 8ns 8ns ,storage temperature -55-+ |
一、石英晶體諧振器:
A、主要指標
1.頻率 f
2.頻率公差
3.切型 AT BT SC
4.泛音次數(shù) 基頻 三次泛音 五次泛音 七次泛音
5.電阻 Rr RL
6.負載電容 CL
7.靜電容 Co
8.動態(tài)電容 C1
9.電容比 r =Co / C1
10.頻率牽移 Ts ( ppm / pF )
11.Q值
12.DLD
13.老化
14.寄生抑制
15.頻率溫度特性(F-T)
B、有源晶振與無源晶振
石英晶片之所以能當為振蕩器使用,是基于它的壓電效應:在晶片的兩個極上加一電場,
會使晶體產生機械變形;在石英晶片上加上交變電壓,晶體就會產生機械振動,同時機械
變形振動又會產生交變電場,雖然這種交變電場的電壓極其微弱,但其振動頻率是十分穩(wěn)定的。當外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率(由晶片的尺寸和形狀決定)相等時,機械振動的幅度將急劇增加,這種現(xiàn)象稱為“壓電諧振”。
在電子學上,通常將含有晶體管元件的電路稱作“有源電路”(如有源音箱、有源濾波器等),
而僅由阻容元件組成的電路稱作“無源電路”。電腦中的晶體振蕩器也分為無源晶振和有源晶振兩種類型。無源晶振與有源晶振的英文名稱不同,無源晶振為crystal(晶體),而有源晶振則叫做oscillator(振蕩器)。無源晶振是有2個引腳的無極性元件,需要借助于時鐘電路才能產生振蕩信號,自身無法振蕩起來,所以“無源晶振”這個說法并不準確;有源晶振有4只引腳,是一個完整的振蕩器,其中除了石英晶體外,還有晶體管和阻容元件,因此體積較大。
二、晶體振蕩器:晶振,晶體振蕩器
A、晶體振蕩器是一種時間/頻率器件,由晶體諧振器和振蕩電路組成。
B、晶體振蕩器的分類:
按照其功能類型可分為四種:
SPXO 簡單封裝晶體振蕩器
VCXO 電壓控制晶體振蕩器
TCXO 溫度控制晶體振蕩器 溫度補償晶體振蕩器
OCXO 恒溫晶體振蕩器 溫度控制晶體振蕩器
C、常規(guī)批量生產可達到的穩(wěn)定度:
SPXO VCXO TCXO OCXO
0 to 70℃ 10 ppm 10 ppm 0.1 ppm 0.005 ppm
-20 to 70℃ 25 ppm 25 ppm 0.3 ppm 0.01 ppm
-40 to 85℃ 30 ppm 30 ppm 0.5 ppm 0.03 ppm
-55 to 125℃ 50 ppm 50 ppm 1.0 ppm N/A
工作溫度范圍內的穩(wěn)定度要求 典型應用 振蕩器類型
±0.2ppm 電信傳輸設備的時鐘基準 OCXO
±0.2~±0.5ppm 電信傳輸設備的Stratum 3時鐘基準 OCXO,帶模擬集成電路的TCXO
±0.5~±1.0ppm **無線電設備,E-911蜂窩電話定位 帶模擬集成電路的TCXO
±1.0~±2.5ppm 移動無線電設備(例如應急通信設備) 帶模擬集成電路的TCXO
±2.5~±10ppm 移動電話 帶電熱調節(jié)的TCXO
±10~±20ppm 傳真機 TCXO,VCXO,SPXO
> ±20ppm 計算機時鐘信號源 SPXO/XO
D、晶體振蕩器主要技術指標:
1)標稱頻率
2)中心頻率偏差
3)頻率調整范圍(機械或壓控)
4)工作溫度范圍
5)壓控特性(電壓范圍、極性、線性度、壓控輸入阻抗)
6)輸出波形(正弦波; 方波:上升/下降沿時間、占空比、高/低電平)
7)工作電流、功耗
8)電壓變化頻率穩(wěn)定度
9)負載變化頻率穩(wěn)定度
10)溫度頻率穩(wěn)定度
11)負載能力
12)頻率老化(長期頻率穩(wěn)定度)
13)短期頻率穩(wěn)定度
14)相位噪聲
15)開機特性
E、晶體振蕩器-SPXO:
簡單封裝晶體振蕩器,沒有電壓控制和溫度補償,頻率溫度特性取決于晶體單元,
稱為SPXO(Simple Packaged Crystal Oscillator )或時鐘(Clock)。
F、溫度補償晶體振蕩器-TCXO:
1.直接溫度補償晶體振蕩器
2.間接溫度補償晶體振蕩器
G、恒溫晶體振蕩器 - OCXO
近年來,由于技術的發(fā)展,OCXO多采用功率器件直接加熱的方法,只有一些指標要求很高的OCXO才使用恒溫槽。
H、OCXO主要技術指標定義的IEC標準
1)標稱頻率(Nominal frequency)
振蕩器標明的工作頻率。
2)中心頻率偏差 (Frequency accuracy)
在基準點溫度環(huán)境(25 ± 2 ℃ )和中心控制電壓時,測得的頻率值與標稱頻率的偏差。
3)頻率調諧范圍(Frequency adjustment range)
用某種可變元件使振蕩器頻率能夠改變的頻率范圍。
注:調整的目的:
1)把頻率調到規(guī)定調整范圍內的任一特定值。
2)由于老化和其它條件變化而引起頻率偏移后,能夠把振蕩器頻率修正到規(guī)定值。
調整的方式:
3)調節(jié)方式有機械調節(jié)和電壓調節(jié)兩種
4)可變元件通常指變容二極管、多圈電位器等。
4)工作溫度范圍 (Operating temp. range)
振蕩器能夠正常工作,其頻率及其它輸出信號性能均不超過規(guī)定的允許偏差的溫度范圍。
注:1)工作溫度范圍的下限越低,振蕩器功耗越大,同時頻率溫度穩(wěn)定度越難實現(xiàn)。
2)工作溫度范圍的上限越高,晶體拐點設置越高, 晶體成本上升越多。
5)壓控特性(電壓范圍、極性、線性、壓控輸入阻抗)
當控制電壓變化時,引起的振蕩器輸出的頻率、波形特征等電特性的變化。
注:1)電壓范圍:用來調節(jié)頻率的電壓的可調范圍。常見的有0~3.3V, 0.3~3.0V, 0~ 5V, 0.5~4.5V等。
2)壓控范圍:壓控電壓在電壓范圍內變化的時候,振蕩器的頻率能夠變化的范圍。
3)極性:當振蕩器的頻率隨壓控電壓的增加而增加的時候,壓控極性為正極性,反之為負極性。
4)線性度:理想的壓控電壓和頻率變化量的關系是線性的, 但實際上總會有所偏差, 這個偏差就是
表征理想程度的壓控線性度, 通常用百分比表示。
5)如果系統(tǒng)不能給出穩(wěn)定的電壓信號, 或者對輸出頻率有嚴格的控制要求時, 通常振蕩器可以自己給
出經(jīng)過穩(wěn)壓后的精準的電壓供壓控電壓用, 這個精準的電壓就是參考電壓。
6)輸出波形(Output waveform) 正弦: 負載能力
方波: 上升沿時間、下降沿時間、占空比、高/低電平
振蕩器工作時輸出的波形及波形的具體特性。
注:常見輸出波形及輸出特性指標:
1)正弦波(Sine):諧波抑制(Harmonic attenuation)、
雜波抑制(Noise attenuation )、負載(Load)、輸出幅度(Output level)。
2)削峰正弦波(Clipping Sine):負載(Load)、輸出幅度(Output level)。
3)方波(Square):又分為MOS和TTL兩類輸出。
負載(Load)、占空比(Duty cycle)、上升/下降時間(Rise/fall time)、
高低電平(“1” and “0” level)。
7)工作電流、功耗 (Input current, power consumption)
8)頻率溫度穩(wěn)定度 (Frequency stability over temp.)
其它條件不變時,由于振蕩器工作在規(guī)定的溫度范圍內引起的相對于基準溫度時的頻率偏移。
9)負載變化頻率穩(wěn)定度 (Frequency stability Vs voltage+/-5% )
其它條件不變時,由于負載阻抗在規(guī)定范圍內變化引起的相對于規(guī)定的負載條件時的頻率偏移。
10)電源變化頻率穩(wěn)定度 (Frequency stability Vs Load+/-10% )
其它條件不變時,由于電源電壓在規(guī)定范圍內變化引起的相對于規(guī)定的電源電壓時的頻率偏移。
11)老化率(長期頻率穩(wěn)定度)(Aging , long term stability)
振蕩器頻率與時間之間的關系。
注: 這種頻率漂移是石英晶體或/和電路中的其它元器件的長期變化造成的,可以用規(guī)定時間間隔內平均頻率的相對變化來表示。
頻率老化是不可避免的。同時方向可能為正也可能為負。
又稱為日老化率、長穩(wěn)等。
12)短期頻率穩(wěn)定度(Short term stability)
振蕩器短時間內的頻率隨機起伏程度。
注:以秒為單位,又稱為秒基穩(wěn)定度、秒穩(wěn)、短穩(wěn)等。
13)相位噪聲(Phase noise)
振蕩器短期頻率穩(wěn)定度的頻域量度,通常用相應起伏功率譜密度SΨ(f) 表示,其中相位起伏函數(shù)為Ψ(f)=2πFt-2πF0t
注:抖動是振蕩器短期頻率穩(wěn)定度的時域量度,實際上和相位噪聲都是頻率短期穩(wěn)定度的一種度量方式。
14)其他指標:功耗,開機特性,重現(xiàn)性,可工作溫度范圍,抗機械沖擊性能,抗電脈沖沖擊性能,存儲溫度范圍, 重力加速度頻率穩(wěn)定度,恒溫報警,三態(tài)控制.