壓控晶振就是利用改變控制電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出頻率的調(diào)整,簡(jiǎn)稱(chēng)為VCO。壓控振蕩器內(nèi)部電路是由變?nèi)荻O管和石英晶體振蕩器電路組成的。變?nèi)荻O管是串聯(lián)在頻率控制回路當(dāng)中,通過(guò)改變加載在變?nèi)荻O管上的電壓來(lái)調(diào)整石英振蕩器的振蕩頻率,實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出頻率的微調(diào)。壓控晶振比普通SPXO晶振使用要靈活得多。因?yàn)樗妮敵鲱l率可以實(shí)現(xiàn)微調(diào),通過(guò)調(diào)整使輸出頻率達(dá)到*理想狀態(tài)。由于電壓控制腳是一個(gè)輸入腳,很容易帶入其他雜散信號(hào),因此,在使用時(shí)要特別注意。壓控晶振廣泛應(yīng)用在工業(yè)和電信領(lǐng)域。
壓控晶振
SMD 14X9MM
VCXO
一、壓控晶振 技術(shù)規(guī)格
指標(biāo)參數(shù)
參數(shù)值
備注
頻率范圍
5-300MHZ
可定制
輸出波形
Sine
方波
PECL
輸出
輸出幅度
0-7dBm
標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)
可定制
特性
輸出負(fù)載
50Ω
15pF
/
諧波/占空比
-30dBc
45-55%
45-55%
雜散抑制
-70dBc
-70dBc
-70dBc
溫度特性
±25ppm
@25℃
溫度范圍
-40 ﹢85 ℃
年老化率
±3 - ±5ppm
頻率
相位噪聲
穩(wěn)定
@10Hz
≤-65dBc/Hz
性
@100Hz
≤-95dBc/Hz
@1KHz
≤-122dBc/Hz
@122.88MHz
@10KHz
≤-138dBc/Hz
@100KHz
≤-142dBc/Hz
頻率
調(diào)節(jié)方式
電壓調(diào)節(jié)
調(diào)節(jié)
壓控電壓范圍
按照客戶(hù)要求
@電壓調(diào)節(jié)
頻率調(diào)節(jié)范圍
±50-±150ppm
可定制
線(xiàn)性度
±1%/±3%/±5%
Max
壓控斜率
正斜率
電源
工作電壓
3.3V / 5V
輸入
工作電流
50mA Max
@122.88MHz
儲(chǔ)存溫度
-55 ﹢125 ℃
壓控晶振
DIP 21X13MM
VCXO
一、壓控晶振 技術(shù)規(guī)格
指標(biāo)參數(shù)
參數(shù)值
備注
頻率范圍
5-300MHZ
可定制
輸出波形
Sine
TTL
HCMOS
輸出
輸出幅度
0-7dBm
標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)
可定制
特性
輸出負(fù)載
50Ω
15pF
15pF
諧波/占空比
-30dBc
45-55%
45-55%
雜散抑制
-70dBc
-70dBc
-70dBc
溫度特性
±25ppm
@25℃
溫度范圍
-40 ﹢85 ℃
年老化率
±3 - ±5ppm
頻率
相位噪聲
穩(wěn)定
@10Hz
≤-120dBc/Hz
性
@100Hz
≤-125dBc/Hz
@1KHz
≤-130dBc/Hz
@32.768MHz
@10KHz
≤-140dBc/Hz
@100KHz
≤-145dBc/Hz
頻率
調(diào)節(jié)方式
電壓調(diào)節(jié)
調(diào)節(jié)
壓控電壓范圍
按照客戶(hù)要求
@電壓調(diào)節(jié)
頻率調(diào)節(jié)范圍
±50-±150ppm
可定制
線(xiàn)性度
±1%/±3%/±5%
Max
壓控斜率
正斜率
電源
工作電壓
3.3V / 5V
輸入
工作電流
15mA Max
@32.768MHz
儲(chǔ)存溫度
-55 ﹢125 ℃
電氣參數(shù)
1.頻率 (MHz)
2.輸出波形 (CMOS / SINE / TTL / LVDS)
3.輸出電平及負(fù)載
4.工作溫度范圍 (℃)
5. 頻率穩(wěn)定度 (ppm)
6.壓控電壓范圍
7. 頻率調(diào)整度 (+/-ppm)
8.封裝
9.工作電壓 (Vdc)
10.輸出電流 (mA)
11.頻率誤差 (+/-ppm)
12.老化率 (Per Year)
注意:壓控電壓范圍是指加載在壓控晶振壓控VC腳的電壓范圍。壓控電壓一般通過(guò)可調(diào)電阻從外部穩(wěn)壓源獲得穩(wěn)定的調(diào)整電壓。有些壓控晶振有自帶壓控參考電壓輸出,這個(gè)參考電壓更好。
產(chǎn)品詳情
簡(jiǎn)單介紹:
壓控晶振就是利用改變控制電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出頻率的調(diào)整,簡(jiǎn)稱(chēng)為VCO。壓控晶振壓控振蕩器內(nèi)部電路是由變?nèi)荻O管和石英晶體振蕩器電路組成的。變?nèi)荻O管是串聯(lián)在頻率控制回路當(dāng)中,通過(guò)改變加載在變?nèi)荻O管上的電壓來(lái)調(diào)整石英振蕩器的振蕩頻率,實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出頻率的微調(diào)。壓控晶振比普通SPXO晶振使用要靈活得多。因?yàn)樗妮敵鲱l率可以實(shí)現(xiàn)微調(diào),通過(guò)調(diào)整使輸出頻率達(dá)到*理想狀態(tài)。壓控晶振,壓控晶振,壓控晶振,壓控晶振.
詳情介紹: